这意味着，在新一代芯片技术节点上，三星成功超越了台积电弯道，率先获得3分nm芯片市场。

　　根据三星官方介绍，在3nm在芯片上，它放弃了以前的芯片FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构大大提高了芯片的功耗性能。

　　与5nm与新开发的3相比nm该工艺可降低功耗45%，面积16%，性能23%。

　　不过，虽然是3nm三星在技术上名列前茅，但这并不意味着三星在芯片OEM市场上一帆风顺。

　　一方面，台积电计划于2025年实现2025年nm芯片的大规模生产意味着三星需要加强新技术的研发，以防止台积电超越下一代新技术。

　　另一方面，因为4nm制造芯片的功耗、高通等重要客户对三星的3nm目前，工艺过程保持观望态度，不敢随意尝试。